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IRF630  与  BUZ32 H  区别

型号 IRF630 BUZ32 H
唯样编号 A-IRF630 A-BUZ32 H
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 75W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 400 毫欧 @ 6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 200V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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